RFP30P05

产品描述

MOSFET TO-220AB P-Ch Power

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Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs	170nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3200pF @ 25V
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Power - Max	120W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
RoHS	No
晶体管极性	P-Channel
漏源击穿电压	- 50 V
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	30 A
抗漏源极RDS （ ON）	0.065 Ohms
配置	Single
最高工作温度	+ 175 C
安装风格	Through Hole
封装/外壳	TO-220AB
下降时间	18 ns
最低工作温度	- 55 C
功率耗散	120 W
上升时间	23 ns
典型关闭延迟时间	28 ns
寿命	Obsolete

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